رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
PMV65XP/MIR
Product Overview
المُصنّع:
Nexperia USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
PMV65XP/MIR-DG
وصف:
MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
وصف تفصيلي:
P-Channel 20 V 2.8A (Ta) 480mW (Ta), 4.17W (Tc) Surface Mount TO-236AB
المخزون:
12831152
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
PMV65XP/MIR المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Nexperia
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.8A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.8V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
74mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
900mV @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
7.7 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±12V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
744 pF @ 20 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
480mW (Ta), 4.17W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-236AB
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
934068504215
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
PMV65XP,215
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
276273
DiGi رقم الجزء
PMV65XP,215-DG
سعر الوحدة
0.06
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSH205G2R
MOSFET P-CH 20V 2A TO236AB
BUK9606-55A,118
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
AUIRFS3006
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
