رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
PMXB120EPEZ
Product Overview
المُصنّع:
Nexperia USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
PMXB120EPEZ-DG
وصف:
MOSFET P-CH 30V 2.4A DFN1010D-3
وصف تفصيلي:
P-Channel 30 V 2.4A (Ta) 400mW (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount DFN1010D-3
المخزون:
31743 قطع جديدة أصلية في المخزون
12831964
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
PMXB120EPEZ المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Nexperia
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.4A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
120mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
309 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
400mW (Ta), 8.3W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
DFN1010D-3
العبوة / العلبة
3-XDFN Exposed Pad
رقم المنتج الأساسي
PMXB120
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
PMXB120EPEZINACTIVE
2156-PMXB120EPEZ
1727-PMXB120EPEZCT
934067154147
PMXB120EPEZ-DG
1727-1472-6-DG
1727-PMXB120EPEZDKR
568-10943-2
1727-1472-6
PMXB120EPE
568-10943-6
568-10943-6-DG
PMXB120EPEZINACTIVE-DG
1727-1472-2-DG
1727-1472-1-DG
568-10943-2-DG
1727-1472-1
568-10943-1-DG
5202-PMXB120EPEZTR
1727-1472-2
568-10943-1
1727-PMXB120EPEZTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BUK7215-55A,118
MOSFET N-CH 55V 55A DPAK
NX3008PBK,215
MOSFET P-CH 30V 230MA TO236AB
BUK7575-100A,127
MOSFET N-CH 100V 23A TO220AB
