الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
PMZ950UPEYL
Product Overview
المُصنّع:
Nexperia USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
PMZ950UPEYL-DG
وصف:
MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006-3
وصف تفصيلي:
P-Channel 20 V 500mA (Ta) 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount SOT-883
المخزون:
7075 قطع جديدة أصلية في المخزون
12828664
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
PMZ950UPEYL المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Nexperia
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
500mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.2V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
950mV @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
2.1 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
43 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
360mW (Ta), 2.7W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-883
العبوة / العلبة
SC-101, SOT-883
رقم المنتج الأساسي
PMZ950
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
PMZ950UPE
مخططات البيانات
PMZ950UPEYL
ورقة بيانات HTML
PMZ950UPEYL-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
10,000
اسماء اخرى
PMZ950UPEYL-DG
NEXNXPPMZ950UPEYL
568-12610-6-DG
568-12610-6
934068445315
1727-2324-6
568-12610-2
5202-PMZ950UPEYLTR
568-12610-2-DG
1727-2324-1
568-12610-1
568-12610-1-DG
1727-2324-2
2156-PMZ950UPEYL-NEX
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
SSM3J35CTC,L3F
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
14955
DiGi رقم الجزء
SSM3J35CTC,L3F-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
PMPB20ENZ
MOSFET N-CH 30V 7.2A DFN2020MD-6
PHB20N06T,118
MOSFET N-CH 55V 20.3A D2PAK
BUK6D72-30EX
MOSFET N-CH 30V 4A/11A 6DFN
PSMN3R3-40YS,115
MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56