رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
PSMN6R0-30YLB,115
Product Overview
المُصنّع:
Nexperia USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
PSMN6R0-30YLB,115-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 71A LFPAK56
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 71A (Tc) 58W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
المخزون:
1716 قطع جديدة أصلية في المخزون
12830467
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
PSMN6R0-30YLB,115 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Nexperia
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
71A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
6.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.95V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1088 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
58W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
LFPAK56, Power-SO8
العبوة / العلبة
SC-100, SOT-669
رقم المنتج الأساسي
PSMN6R0
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,500
اسماء اخرى
568-9718-2
PSMN6R0-30YLB,115-DG
5202-PSMN6R0-30YLB,115TR
568-9718-6
568-9718-6-DG
934066006115
1727-7222-6
1727-7222-2
PSMN6R0-30YLB115
1727-7222-1
568-9718-2-DG
PSMN6R030YLB115
568-9718-1-DG
568-9718-1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BUK7277-55A,118
MOSFET N-CH 55V 18A DPAK
PMZ350UPEYL
MOSFET P-CH 20V 1A DFN1006-3
BSB044N08NN3GXUMA1
MOSFET N-CH 80V 18A/90A 2WDSON
