الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
Europe
United Kingdom
France
Spain
Turkey
Moldova
Lithuania
Norway
Germany
Portugal
Slovakia
ltaly
Finland
Russian
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Czech
Greek
Croatia
Israel
Serbia
Belarus
Netherlands
Sweden
Montenegro
Basque
Iceland
Bosnia
Hungarian
Romania
Austria
Belgium
Ireland
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
HongKong
TaiWan
Singapore
Pakistan
Saudi Arabia
Qatar
Kuwait
Cambodia
Myanmar
Africa,India and Middle East
United Arab Emirates
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
DR Congo
South Africa
Egypt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Morocco
Tunisia
South America / Oceania
New Zealand
Angola
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
North America
United States
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
PUMD10,135
Product Overview
المُصنّع:
Nexperia USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
PUMD10,135-DG
وصف:
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP
المخزون:
32 قطع جديدة أصلية في المخزون
12830359
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
PUMD10,135 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
Nexperia
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
2.2kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
47kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
100 @ 10mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
100mV @ 250µA, 5mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
1µA
التردد - الانتقال
-
الطاقة - الحد الأقصى
300mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
حزمة جهاز المورد
6-TSSOP
رقم المنتج الأساسي
PUMD10
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
PUMD10
مخططات البيانات
PUMD10,135
ورقة بيانات HTML
PUMD10,135-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
10,000
اسماء اخرى
1727-8546-2
934055239135
PUMD10,135-DG
1727-8546-1
1727-8546-6
5202-PUMD10,135TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
DCX123JUQ-7-F
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
DCX123JUQ-7-F-DG
سعر الوحدة
0.04
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
MUN5335DW1T2G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
12848
DiGi رقم الجزء
MUN5335DW1T2G-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
RN4905,LF(CT
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
3000
DiGi رقم الجزء
RN4905,LF(CT-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
RN4985,LF(CT
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
2981
DiGi رقم الجزء
RN4985,LF(CT-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DDC123JU-7-F
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
42501
DiGi رقم الجزء
DDC123JU-7-F-DG
سعر الوحدة
0.05
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
PUMB20,115
TRANS PREBIAS 2PNP 50V 6TSSOP
PUMB2/DG/B4X
TRANS PREBIAS 2PNP 50V 6TSSOP
PBLS1502Y,115
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
PEMD10,115
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666