رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BC859B,215
Product Overview
المُصنّع:
NXP Semiconductors
رقم الجزء DiGi Electronics:
BC859B,215-DG
وصف:
NEXPERIA BC859B - SMALL SIGNAL B
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 100 mA 100MHz 250 mW Surface Mount TO-236AB
المخزون:
9498000 قطع جديدة أصلية في المخزون
12967879
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BC859B,215 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
NXP Semiconductors
تعبئة
Bulk
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
PNP
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
30 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
650mV @ 5mA, 100mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
15nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
220 @ 2mA, 5V
الطاقة - الحد الأقصى
250 mW
التردد - الانتقال
100MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
حزمة جهاز المورد
TO-236AB
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1
اسماء اخرى
2156-BC859B,215-954
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2SC3070-AE
2SC3070 - NPN EPITAXIAL PLANAR S
2SB1215T-N-TL-E
2SB1215 - BIPOLAR PNP TRANSISTOR
2PB709BSL,215
NEXPERIA 2PB709 - SMALL SIGNAL B
