رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BF199,112
Product Overview
المُصنّع:
NXP USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
BF199,112-DG
وصف:
TRANS NPN 25V 0.025A TO92-3
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 25 V 25 mA 550MHz 500 mW Through Hole TO-92-3
المخزون:
12809828
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
HmeV
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BF199,112 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
NXP Semiconductors
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
25 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
25 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
-
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
38 @ 7mA, 10V
الطاقة - الحد الأقصى
500 mW
التردد - الانتقال
550MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
حزمة جهاز المورد
TO-92-3
رقم المنتج الأساسي
BF199
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
933063420112
BF199P
BF199P-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2PB710ASL/ZLR
TRANS PNP GEN PURP SOT346
2PD601AQW,115
TRANS NPN 50V 0.1A SC70
2PB710AR,115
TRANS PNP 50V 0.5A SMT3
