رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2N5551CYTA
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
2N5551CYTA-DG
وصف:
TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 600 mA 100MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
المخزون:
12834716
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2N5551CYTA المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
600 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
160 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
200mV @ 5mA, 50mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
50nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
80 @ 10mA, 5V
الطاقة - الحد الأقصى
625 mW
التردد - الانتقال
100MHz
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
حزمة جهاز المورد
TO-92-3
رقم المنتج الأساسي
2N5551
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
نماذج بديلة
رقم الجزء
2N5551TF
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
49026
DiGi رقم الجزء
2N5551TF-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
SN74CBT16232DGGR
المُصنِّع
Texas Instruments
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
SN74CBT16232DGGR-DG
سعر الوحدة
0.70
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
2N5551TFR
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
7684
DiGi رقم الجزء
2N5551TFR-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
2N5551TA
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
27938
DiGi رقم الجزء
2N5551TA-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BDX34CG
TRANS PNP DARL 100V 10A TO220
2SC4134S-E
TRANS NPN 100V 1A TP
BC337BU
TRANS NPN 45V 0.8A TO92-3