رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2N5551G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
2N5551G-DG
وصف:
TRANS NPN 160V 0.6A TO92
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 600 mA 300MHz 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
المخزون:
12918893
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2N5551G المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
600 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
160 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
200mV @ 5mA, 50mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
50nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
80 @ 10mA, 5V
الطاقة - الحد الأقصى
625 mW
التردد - الانتقال
300MHz
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
حزمة جهاز المورد
TO-92 (TO-226)
رقم المنتج الأساسي
2N5551
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
ONSONS2N5551G
2156-2N5551G-ON
2N5551GOS
2N5551G-DG
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
نماذج بديلة
رقم الجزء
2N5550TAR
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
39899
DiGi رقم الجزء
2N5550TAR-DG
سعر الوحدة
0.04
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
2N5551YBU
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
2N5551YBU-DG
سعر الوحدة
0.04
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
2N5550TA
المُصنِّع
Fairchild Semiconductor
الكمية المتاحة
33620
DiGi رقم الجزء
2N5550TA-DG
سعر الوحدة
0.04
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
MMBT5551LT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
755151
DiGi رقم الجزء
MMBT5551LT1G-DG
سعر الوحدة
0.01
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
2N5551BU
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
404529
DiGi رقم الجزء
2N5551BU-DG
سعر الوحدة
0.04
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
PBSS4480XZ
TRANS NPN 80V 4A SOT89
2SC4731T-AY
TRANS NPN 100V 4A FLP
BF720T3G
TRANS NPN 300V 0.1A SOT223
