رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2N6517RLRPG
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
2N6517RLRPG-DG
وصف:
TRANS NPN 350V 0.5A TO92
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 350 V 500 mA 200MHz 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
المخزون:
12921819
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2N6517RLRPG المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
500 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
350 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
1V @ 5mA, 50mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
50nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
20 @ 50mA, 10V
الطاقة - الحد الأقصى
625 mW
التردد - الانتقال
200MHz
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
حزمة جهاز المورد
TO-92 (TO-226)
رقم المنتج الأساسي
2N6517
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
نماذج بديلة
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
