رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2N7000-D75Z
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
2N7000-D75Z-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 200mA (Ta) 400mW (Ta) Through Hole TO-92-3
المخزون:
8017 قطع جديدة أصلية في المخزون
12833381
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2N7000-D75Z المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Box (TB)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
200mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 1mA
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
50 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
400mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-92-3
العبوة / العلبة
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
رقم المنتج الأساسي
2N7000
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
اسماء اخرى
2N7000_D75ZFSTB
2N7000D75Z
2N7000_D75Z
2N7000_D75Z-DG
2N7000-D75ZTB
2N7000-D75ZFSCT
488-2N7000-D75ZTB
2N7000-D75ZFSCT-DG
2N7000_D75ZFSCT-DG
2N7000_D75ZTB
2N7000-D75ZTB-DG
2N7000_D75ZFSTB-DG
2N7000_D75ZTB-DG
2N7000_D75ZFSCT
488-2N7000-D75ZCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
5LP01M-TL-E
MOSFET P-CH 50V 70MA 3MCP
BSS84AK-BR
MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
BSP89H6327XTSA1
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
