2N7002L
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

2N7002L

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

2N7002L-DG

وصف:

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 115mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

المخزون:

91754 قطع جديدة أصلية في المخزون
12921088
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

2N7002L المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
115mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
7.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
50 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
200mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-23-3
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
رقم المنتج الأساسي
2N7002

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
2N7002LCT
2N7002LTR
2N7002LDKR
2156-2N7002L-OS
ONSONS2N7002L

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
vishay-siliconix

SIJ400DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 32A PPAK SO-8

nexperia

PSMN7R0-100BS,118

MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK

onsemi

FDP040N06

MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3

vishay-siliconix

SIHA240N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 12A TO220