رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2SA1709T-AN
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
2SA1709T-AN-DG
وصف:
TRANS PNP 100V 2A 3NMP
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 2 A 120MHz 1 W Through Hole 3-NMP
المخزون:
12833195
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2SA1709T-AN المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
PNP
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
2 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
100 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
600mV @ 100mA, 1A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
200 @ 100mA, 10V
الطاقة - الحد الأقصى
1 W
التردد - الانتقال
120MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
SC-71
حزمة جهاز المورد
3-NMP
رقم المنتج الأساسي
2SA1709
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
ONSONS2SA1709T-AN
2156-2SA1709T-AN-ONTR-DG
2156-2SA1709T-AN
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2N6517G
TRANS NPN 350V 0.5A TO92
BC817-40LT1
TRANS NPN 45V 500MA SOT23
BC635_J35Z
TRANS NPN 45V 1A TO92-3