رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2SB1203T-E
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
2SB1203T-E-DG
وصف:
TRANS PNP 50V 5A TP
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 5 A 130MHz 1 W Through Hole TP
المخزون:
12835067
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2SB1203T-E المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
PNP
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
5 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
550mV @ 150mA, 3A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
1µA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
200 @ 500mA, 2V
الطاقة - الحد الأقصى
1 W
التردد - الانتقال
130MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
حزمة جهاز المورد
TP
رقم المنتج الأساسي
2SB1203
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
نماذج بديلة
رقم الجزء
2SA2039-E
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
944
DiGi رقم الجزء
2SA2039-E-DG
سعر الوحدة
0.46
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2N5885G
TRANS NPN 60V 25A TO204
BC212LB
TRANS PNP 50V 0.1A TO92-3
BD179
TRANS NPN 80V 3A TO126
