رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2SC3256R
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
2SC3256R-DG
وصف:
NPN SILICON TRANSISTOR
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 15 A 100MHz 80 W Through Hole TO-3PB
المخزون:
2210 قطع جديدة أصلية في المخزون
12967459
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2SC3256R المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Bulk
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
15 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
60 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
400mV @ 375mA, 7.5A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100µA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
100 @ 1A, 2V
الطاقة - الحد الأقصى
80 W
التردد - الانتقال
100MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
درجة
-
تأهيل
-
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-3P-3, SC-65-3
حزمة جهاز المورد
TO-3PB
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
231
اسماء اخرى
ONSONS2SC3256R
2156-2SC3256R
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
EC3101C-TL
BIP PNP 0.15A 50V
JANTXV2N5667
TRANS NPN 300V 5A TO5
BCX52-16E6327
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
