رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2SC6097-E
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
2SC6097-E-DG
وصف:
TRANS NPN 60V 3A TP
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 3 A 390MHz 800 mW Through Hole TP
المخزون:
12833797
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2SC6097-E المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
3 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
60 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
135mV @ 100mA, 1A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
1µA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
300 @ 100mA, 2V
الطاقة - الحد الأقصى
800 mW
التردد - الانتقال
390MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
حزمة جهاز المورد
TP
رقم المنتج الأساسي
2SC6097
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
2156-2SC6097-E-488
2SC6097-E-DG
2SC6097-EOS
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2N5401RL1G
TRANS PNP 150V 0.6A TO92
2N6034
TRANS PNP DARL 40V 4A TO126
2N4918
TRANS PNP 40V 1A TO126
