رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2SC6099-E
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
2SC6099-E-DG
وصف:
TRANS NPN 100V 2A TP
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 2 A 300MHz 800 mW Through Hole TP
المخزون:
12835526
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2SC6099-E المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
2 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
100 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
165mV @ 100mA, 1A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
1µA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
300 @ 100mA, 5V
الطاقة - الحد الأقصى
800 mW
التردد - الانتقال
300MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
حزمة جهاز المورد
TP
رقم المنتج الأساسي
2SC6099
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
2156-2SC6099-E-ON
ONSONS2SC6099-E
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
نماذج بديلة
رقم الجزء
2SC6099-TL-E
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
1380
DiGi رقم الجزء
2SC6099-TL-E-DG
سعر الوحدة
0.25
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PHPT61002NYCX
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
770
DiGi رقم الجزء
PHPT61002NYCX-DG
سعر الوحدة
0.13
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BC807-16LT3
TRANS PNP 45V 0.5A SOT23-3
2SC4081RT1
TRANS NPN 50V 0.1A SC70-3
BC32825BU
TRANS PNP 25V 0.8A TO92-3
