2SJ661-1E
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

2SJ661-1E

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

2SJ661-1E-DG

وصف:

MOSFET P-CH 60V 38A TO262-3
وصف تفصيلي:
P-Channel 60 V 38A (Ta) 1.65W (Ta), 65W (Tc) Through Hole TO-262-3

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12836422
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

2SJ661-1E المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
38A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
39mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
-
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4360 pF @ 20 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.65W (Ta), 65W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-262-3
العبوة / العلبة
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
رقم المنتج الأساسي
2SJ661

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
2SJ661
مخططات البيانات
2SJ661-1E
ورقة بيانات HTML
2SJ661-1E-DG

معلومات إضافية

الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
2156-2SJ661-1E
ONSONS2SJ661-1E

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
FQP47P06
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
FQP47P06-DG
سعر الوحدة
1.40
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
onsemi

FQP5N60C

MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220-3

onsemi

2SK4177-DL-1E

MOSFET N-CH 1500V 2A TO263-2

onsemi

FQD2N60CTF

MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK

onsemi

ATP102-TL-H

MOSFET P-CH 30V 40A ATPAK