رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2SJ665-DL-1EX
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
2SJ665-DL-1EX-DG
وصف:
MOSFET P-CH 100V 27A TO263-2
وصف تفصيلي:
P-Channel 100 V 27A (Ta) 65W (Tc) Surface Mount TO-263-2
المخزون:
12834668
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2SJ665-DL-1EX المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
27A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
77mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
-
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4200 pF @ 20 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
65W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TA)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263-2
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
2SJ665
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1
اسماء اخرى
2156-2SJ665-DL-1EX-ON
ONSONS2SJ665-DL-1EX
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FQB34P10TM
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
FQB34P10TM-DG
سعر الوحدة
1.23
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2N7000G
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
ATP203-TL-H
MOSFET N-CH 30V 75A ATPAK
2SK3746-1E
MOSFET N-CH 1500V 2A TO3P-3L
