2SK4066-E
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

2SK4066-E

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

2SK4066-E-DG

وصف:

MOSFET N-CH 60V 100A SMP
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 100A (Ta) 1.65W (Ta), 90W (Tc) Through Hole SMP

المخزون:

12918561
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

2SK4066-E المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
100A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
-
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
220 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
12500 pF @ 20 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.65W (Ta), 90W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
SMP
العبوة / العلبة
TO-220-3, Short Tab
رقم المنتج الأساسي
2SK4066

معلومات إضافية

الباقة القياسية
100

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
PSMN4R6-60BS,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
10374
DiGi رقم الجزء
PSMN4R6-60BS,118-DG
سعر الوحدة
0.87
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
nexperia

BUK764R0-75C,118

MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK

onsemi

PCP1405-TD-H

MOSFET N-CH 250V 600MA SOT89

nexperia

BUK9MJJ-55PTT,518

9648 MISC TRENCHFET

nexperia

PSMN012-80PS,127

MOSFET N-CH 80V 74A TO220AB