2SK4094-1E
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

2SK4094-1E

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

2SK4094-1E-DG

وصف:

MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 100A (Ta) 1.75W (Ta), 90W (Tc) Through Hole TO-220-3

المخزون:

12836318
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

2SK4094-1E المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
100A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
5mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
-
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
220 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
12500 pF @ 20 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.75W (Ta), 90W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
2SK4094

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
ONSONS2SK4094-1E
2156-2SK4094-1E

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
PSMN4R6-60PS,127
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
7843
DiGi رقم الجزء
PSMN4R6-60PS,127-DG
سعر الوحدة
1.15
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PSMN4R2-60PLQ
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
2218
DiGi رقم الجزء
PSMN4R2-60PLQ-DG
سعر الوحدة
1.36
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

2SK4210

MOSFET N-CH 900V 10A TO3PB

onsemi

FDB38N30U

MOSFET N CH 300V 38A D2PAK

onsemi

FCA20N60F

MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN

onsemi

FDI2532

MOSFET N-CH 150V 8A/79A I2PAK