رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2SK4116LS
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
2SK4116LS-DG
وصف:
MOSFET N-CH 400V 8.9A TO220FI
وصف تفصيلي:
N-Channel 400 V 8.9A (Tc) 2W (Ta), 33W (Tc) Through Hole TO-220FI(LS)
المخزون:
12836578
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2SK4116LS المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
400 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8.9A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
540mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
24.5 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
650 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2W (Ta), 33W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220FI(LS)
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
2SK4116
معلومات إضافية
الباقة القياسية
100
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
TK12A45D(STA4,Q,M)
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
TK12A45D(STA4,Q,M)-DG
سعر الوحدة
0.85
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPA50R500CEXKSA2
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
141
DiGi رقم الجزء
IPA50R500CEXKSA2-DG
سعر الوحدة
0.37
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
TK12A53D(STA4,Q,M)
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
TK12A53D(STA4,Q,M)-DG
سعر الوحدة
1.00
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDS8882
MOSFET N-CH 30V 9A 8SOIC
FQU7P06TU_NB82048
MOSFET P-CH 60V 5.4A IPAK
FQPF5N50CYDTU
MOSFET N-CH 500V 5A TO220F-3
