رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2SK4197FS
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
2SK4197FS-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 3.3A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 3.3A (Tc) 2W (Ta), 28W (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
12924094
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2SK4197FS المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.3A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.25Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
-
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
260 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2W (Ta), 28W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
2SK4197
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
ONSONS2SK4197FS
2156-2SK4197FS-ON
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
TK3A60DA(STA4,Q,M)
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
47
DiGi رقم الجزء
TK3A60DA(STA4,Q,M)-DG
سعر الوحدة
0.40
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
TK3A60DA(Q,M)
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
1
DiGi رقم الجزء
TK3A60DA(Q,M)-DG
سعر الوحدة
0.41
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STF2N62K3
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
729
DiGi رقم الجزء
STF2N62K3-DG
سعر الوحدة
0.59
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
JANTX2N6790
MOSFET N-CH 200V 3.5A TO39
FDMS86568-F085
MOSFET N-CH 60V 80A POWER56
JANTXV2N6849U
MOSFET P-CH 100V 6.5A 18ULCC