رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2SK4209
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
2SK4209-DG
وصف:
MOSFET N-CH 800V 12A TO3PB
وصف تفصيلي:
N-Channel 800 V 12A (Ta) 2.5W (Ta), 190W (Tc) Through Hole TO-3PB
المخزون:
12832685
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2SK4209 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
800 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
12A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.08Ohm @ 6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1500 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 190W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-3PB
العبوة / العلبة
TO-3P-3, SC-65-3
رقم المنتج الأساسي
2SK4209
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
100
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FQA13N80-F109
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
76
DiGi رقم الجزء
FQA13N80-F109-DG
سعر الوحدة
2.65
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2SK3704
MOSFET N-CH 60V 45A TO220ML
BUK7Y3R0-40HX
MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56
PSMN2R5-30YL,115
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
