رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
ATP106-TL-H
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
ATP106-TL-H-DG
وصف:
MOSFET P-CH 40V 30A ATPAK
وصف تفصيلي:
P-Channel 40 V 30A (Ta) 40W (Tc) Surface Mount ATPAK
المخزون:
12834406
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
ATP106-TL-H المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
30A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
25mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
-
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1380 pF @ 20 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
40W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
ATPAK
العبوة / العلبة
ATPAK (2 Leads+Tab)
رقم المنتج الأساسي
ATP106
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
869-1075-2
869-1075-1
2156-ATP106-TL-H-OS
ATP106TLH
ONSONSATP106-TL-H
ATP106-SPL
869-1075-6
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NP20P04SLG-E1-AY
المُصنِّع
Renesas Electronics Corporation
الكمية المتاحة
13270
DiGi رقم الجزء
NP20P04SLG-E1-AY-DG
سعر الوحدة
0.59
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
FDD4685
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
9998
DiGi رقم الجزء
FDD4685-DG
سعر الوحدة
0.49
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXTY48P05T
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
332
DiGi رقم الجزء
IXTY48P05T-DG
سعر الوحدة
1.71
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSS138-F085
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23
64-2042
MOSFET N-CH 40V 75A TO262
2SK3747-MG8
MOSFET N-CH 1500V 2A TO3PML
