ATP216-TL-H

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

ATP216-TL-H

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

ATP216-TL-H-DG

وصف:

MOSFET N-CH 50V 35A ATPAK

وصف تفصيلي:

N-Channel 50 V 35A (Ta) 40W (Tc) Surface Mount ATPAK

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت

12834984

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

ATP216-TL-H المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

onsemi

تعبئة

-

سلسلة

-

حالة المنتج

Obsolete

نوع FET

N-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

50 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

35A (Ta)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

1.8V, 4.5V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

23mOhm @ 18A, 4.5V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

-

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

30 nC @ 4.5 V

Vgs (ماكس)

±10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

2700 pF @ 20 V

ميزة FET

-

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

40W (Tc)

درجة حرارة التشغيل

150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

حزمة جهاز المورد

ATPAK

العبوة / العلبة

ATPAK (2 Leads+Tab)

رقم المنتج الأساسي

ATP216

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية

3,000

اسماء اخرى

ONSONSATP216-TL-H

2156-ATP216-TL-H-ONTR

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

onsemi

5X49_BG7002B

MOSFET N-CH 100V SOT23

onsemi

BS170RLRP

MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3

onsemi

2SK3745LS

MOSFET N-CH 1500V 2A TO220FI

onsemi

2SK4177-E

MOSFET N-CH 1500V 2A SMP-FD