الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
ATP602-TL-H
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
ATP602-TL-H-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 5A ATPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 5A (Ta) 70W (Tc) Surface Mount ATPAK
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12832787
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
ATP602-TL-H المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.7Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
-
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
13.6 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
350 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
70W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
ATPAK
العبوة / العلبة
ATPAK (2 Leads+Tab)
رقم المنتج الأساسي
ATP602
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ATP602-TL-H
ورقة بيانات HTML
ATP602-TL-H-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
869-1089-2
2156-ATP602-TL-H-ONTR
ONSONSATP602-TL-H
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STD3N62K3
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
3586
DiGi رقم الجزء
STD3N62K3-DG
سعر الوحدة
0.36
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STD3NK60ZT4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
6554
DiGi رقم الجزء
STD3NK60ZT4-DG
سعر الوحدة
0.44
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FQD5N60CTM
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
FQD5N60CTM-DG
سعر الوحدة
0.42
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STD4N62K3
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
5433
DiGi رقم الجزء
STD4N62K3-DG
سعر الوحدة
0.73
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FDD5N60NZTM
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
45384
DiGi رقم الجزء
FDD5N60NZTM-DG
سعر الوحدة
0.40
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
PMZB290UNE,315
MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3
2N7000-D74Z
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
BUK663R2-40C,118
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
PSMNR58-30YLHX
MOSFET N-CH 30V 300A LFPAK56