BD139G
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

BD139G

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

BD139G-DG

وصف:

TRANS NPN 80V 1.5A TO126
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1.5 A 12.5 W Through Hole TO-126

المخزون:

19585 قطع جديدة أصلية في المخزون
12851919
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

BD139G المواصفات الفنية

فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Bulk
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
1.5 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
80 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
500mV @ 50mA, 500mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
40 @ 150mA, 2V
الطاقة - الحد الأقصى
12.5 W
التردد - الانتقال
-
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-225AA, TO-126-3
حزمة جهاز المورد
TO-126
رقم المنتج الأساسي
BD139

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
2156-BD139G-OS
ONSONSBD139G
BD139GOS

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

MPS2222AZL1

TRANS NPN 40V 0.6A TO92

onsemi

KSC1187OTA

TRANS NPN 20V 0.03A TO92-3

onsemi

MJE18006G

TRANS NPN 450V 6A TO220

onsemi

MPSA29G

TRANS NPN DARL 100V 0.5A TO92