رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BD139G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
BD139G-DG
وصف:
TRANS NPN 80V 1.5A TO126
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1.5 A 12.5 W Through Hole TO-126
المخزون:
19585 قطع جديدة أصلية في المخزون
12851919
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BD139G المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Bulk
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
1.5 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
80 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
500mV @ 50mA, 500mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
40 @ 150mA, 2V
الطاقة - الحد الأقصى
12.5 W
التردد - الانتقال
-
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-225AA, TO-126-3
حزمة جهاز المورد
TO-126
رقم المنتج الأساسي
BD139
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
2156-BD139G-OS
ONSONSBD139G
BD139GOS
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
MPS2222AZL1
TRANS NPN 40V 0.6A TO92
KSC1187OTA
TRANS NPN 20V 0.03A TO92-3
MJE18006G
TRANS NPN 450V 6A TO220
