رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BD681G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
BD681G-DG
وصف:
TRANS NPN DARL 100V 4A TO126
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 4 A 40 W Through Hole TO-126
المخزون:
2370 قطع جديدة أصلية في المخزون
12850281
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BD681G المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Bulk
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
NPN - Darlington
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
4 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
100 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
2.5V @ 30mA, 1.5A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500µA
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
750 @ 1.5A, 3V
الطاقة - الحد الأقصى
40 W
التردد - الانتقال
-
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-225AA, TO-126-3
حزمة جهاز المورد
TO-126
رقم المنتج الأساسي
BD681
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
2156-BD681G-OS
BD681GOS
2832-BD681G
ONSONSBD681G
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
