رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BFL4004-1E
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
BFL4004-1E-DG
وصف:
MOSFET N-CH 800V 4.3A TO220F-3FS
وصف تفصيلي:
N-Channel 800 V 4.3A (Tc) 2W (Ta), 36W (Tc) Through Hole TO-220F-3FS
المخزون:
12849126
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
2hp3
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BFL4004-1E المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
800 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4.3A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.5Ohm @ 3.25A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
-
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
710 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2W (Ta), 36W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220F-3FS
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
BFL40
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
2156-BFL4004-1E-ON
ONSONSBFL4004-1E
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FQPF6N80C
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
800
DiGi رقم الجزء
FQPF6N80C-DG
سعر الوحدة
1.17
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STP5NK80ZFP
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
943
DiGi رقم الجزء
STP5NK80ZFP-DG
سعر الوحدة
1.03
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STF4N80K5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
766
DiGi رقم الجزء
STF4N80K5-DG
سعر الوحدة
0.68
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
