BS107ARL1
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

BS107ARL1

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

BS107ARL1-DG

وصف:

MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 200 V 250mA (Ta) 350mW (Ta) Through Hole TO-92 (TO-226)

المخزون:

12847688
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

BS107ARL1 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
250mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
6.4Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 1mA
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
60 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
350mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-92 (TO-226)
العبوة / العلبة
TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
رقم المنتج الأساسي
BS107

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
2,000

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
BS107P
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
1875
DiGi رقم الجزء
BS107P-DG
سعر الوحدة
0.19
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

FDMS8050ET30

MOSFET N-CH 30V 55A/423A POWER56

infineon-technologies

IPAN80R450P7XKSA1

MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3-31

onsemi

MCH3477-TL-E

MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70

onsemi

FDD5670

MOSFET N-CH 60V 52A TO252