رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BS170-D27Z
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
BS170-D27Z-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 500mA (Ta) 830mW (Ta) Through Hole TO-92-3
المخزون:
2869 قطع جديدة أصلية في المخزون
12847972
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BS170-D27Z المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
500mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
5Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 1mA
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
40 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
830mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-92-3
العبوة / العلبة
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
رقم المنتج الأساسي
BS170
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
اسماء اخرى
BS170_D27Z
BS170_D27ZDKRINACTIVE
BS170_D27ZDKR-DG
BS170-D27ZTR
BS170_D27ZCT
BS170_D27ZDKR
BS170-D27ZDKRINACTIVE
BS170_D27Z-DG
2156-BS170-D27ZTR
BS170_D27ZTR
BS170_D27ZDKRINACTIVE-DG
BS170-D27ZCT
BS170_D27ZTR-DG
BS170_D27ZCT-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AOD418G
MOSFET N-CH 30V 13.5A/36A TO252
BSS340NWH6327XTSA1
SMALL SIGNAL+N-CH
FQPF6N80CT
MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220F
