رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSS123-F169
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSS123-F169-DG
وصف:
MOSFET N-CH SOT23
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 170mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
المخزون:
12997585
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSS123-F169 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
170mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
6Ohm @ 170mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
2.5 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
73 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
360mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-23-3
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
رقم المنتج الأساسي
BSS123
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
2156-BSS123-F169
488-BSS123-F169TR
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
BSS123
المُصنِّع
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
الكمية المتاحة
143884
DiGi رقم الجزء
BSS123-DG
سعر الوحدة
0.01
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
GT52N10D5
N100V,RD(MAX)<7.5M@10V,RD(MAX)<1
GT100N12K
N120V,65A,RD<12M@10V,VTH2.5V~3.5
GT025N06AM
N60V,170A,RD<2.5M@10V,VTH1.2V~2.