رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSS138LT1G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSS138LT1G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 50 V 200mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
المخزون:
383357 قطع جديدة أصلية في المخزون
12834697
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSS138LT1G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
50 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
200mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.5Ohm @ 200mA, 5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 1mA
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
50 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
225mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-23-3 (TO-236)
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
رقم المنتج الأساسي
BSS138
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
2156-BSS138LT1G-OS
BSS138LT1GOSTR
BSS138LT1GOSCT
BSS138LT1GOSDKR
2832-BSS138LT1G-488
ONSONSBSS138LT1G
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AUIRF8736M2TR
MOSFET N-CH 40V 27A DIRECTFET
2SK3821-DL-E
MOSFET N-CH 100V 40A SMP-FD
64-0007
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
