الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BUT11ATU
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
BUT11ATU-DG
وصف:
TRANS NPN 450V 5A TO220-3
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 450 V 5 A 100 W Through Hole TO-220-3
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12850637
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BUT11ATU المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
5 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
450 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
1.5V @ 500mA, 2.5A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
1mA
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
-
الطاقة - الحد الأقصى
100 W
التردد - الانتقال
-
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-220-3
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
BUT11
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
BUT11ATUOS
BUT11ATU-DG
2832-BUT11ATU
2166-BUT11ATU-488
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
PHD13005,127
المُصنِّع
WeEn Semiconductors
الكمية المتاحة
5943
DiGi رقم الجزء
PHD13005,127-DG
سعر الوحدة
0.16
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
BUL38D
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
1968
DiGi رقم الجزء
BUL38D-DG
سعر الوحدة
0.48
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
BUJ302A,127
المُصنِّع
WeEn Semiconductors
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
BUJ302A,127-DG
سعر الوحدة
0.28
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
ST13005
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
3501
DiGi رقم الجزء
ST13005-DG
سعر الوحدة
0.37
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STL128D
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
518
DiGi رقم الجزء
STL128D-DG
سعر الوحدة
0.40
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
MJE13009
TRANS NPN 400V 12A TO220
BF493S
TRANS PNP 350V 0.5A TO92
BC639ZL1
TRANS NPN 80V 1A TO92
FJPF5021RTU
TRANS NPN 500V 5A TO220F-3