رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BVSS138LT1G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
BVSS138LT1G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 50 V 200mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
المخزون:
27685 قطع جديدة أصلية في المخزون
12850097
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BVSS138LT1G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
50 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
200mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.5Ohm @ 200mA, 5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 1mA
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
50 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
225mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-23-3 (TO-236)
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
رقم المنتج الأساسي
BVSS138
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
2156-BVSS138LT1G-OS
BVSS138LT1GOSCT
BVSS138LT1G-DG
BVSS138LT1GOSTR
BVSS138LT1GOSDKR
2832-BVSS138LT1G
ONSONSBVSS138LT1G
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AO3456
MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23-3
FQA9N90C
MOSFET N-CH 900V 9A TO3P
FQD7P20TF
MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
