رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
EFC6604R-TR
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
EFC6604R-TR-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 6EFCP
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 1.6W Surface Mount 6-EFCP (1.9x1.46)
المخزون:
12838658
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
EFC6604R-TR المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate, 2.5V Drive
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
-
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
-
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
-
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
-
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
29nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
-
الطاقة - الحد الأقصى
1.6W
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-XFBGA
حزمة جهاز المورد
6-EFCP (1.9x1.46)
رقم المنتج الأساسي
EFC6604
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
2156-EFC6604R-TR-OS
ONSONSEFC6604R-TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
EFC2J013NUZTDG
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
EFC2J013NUZTDG-DG
سعر الوحدة
0.18
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDR8305N
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SUPERSOT-8
FDC6310P
MOSFET 2P-CH 20V 2.2A SSOT6
ECH8653-TL-H
MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8ECH
