رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
EFC6612R-A-TF
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
EFC6612R-A-TF-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 6CSP
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 2.5W Surface Mount 6-CSP (1.77x3.54)
المخزون:
12845332
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
EFC6612R-A-TF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
ميزة FET
Logic Level Gate, 2.5V Drive
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
-
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
-
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
-
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
-
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
27nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
-
الطاقة - الحد الأقصى
2.5W
درجة حرارة التشغيل
-
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-SMD, No Lead
حزمة جهاز المورد
6-CSP (1.77x3.54)
رقم المنتج الأساسي
EFC6612
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
2156-EFC6612R-A-TF
ONSONSEFC6612R-A-TF
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AO4606L_DELTA
MOSFET N/P-CH 30V 6A 8SOIC
AO4613_001
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
AO4614BL_103
MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8SOIC
