الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
EMD5DXV6T1G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
EMD5DXV6T1G-DG
وصف:
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12846569
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
EMD5DXV6T1G المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
4.7kOhms, 47kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
10kOhms, 47kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
250mV @ 300µA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
التردد - الانتقال
-
الطاقة - الحد الأقصى
500mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SOT-563, SOT-666
حزمة جهاز المورد
SOT-563
رقم المنتج الأساسي
EMD5DX
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
EMD5DXV6
مخططات البيانات
EMD5DXV6T1G
ورقة بيانات HTML
EMD5DXV6T1G-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
EMD5DXV6T1GOS
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
RN4984FE,LF(CT
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
70
DiGi رقم الجزء
RN4984FE,LF(CT-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PEMD12,315
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
8000
DiGi رقم الجزء
PEMD12,315-DG
سعر الوحدة
0.07
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PEMD12,115
المُصنِّع
NXP Semiconductors
الكمية المتاحة
4633890
DiGi رقم الجزء
PEMD12,115-DG
سعر الوحدة
0.06
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DCX114TH-7
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
DCX114TH-7-DG
سعر الوحدة
0.06
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PEMD48,115
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
4000
DiGi رقم الجزء
PEMD48,115-DG
سعر الوحدة
0.07
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NSBC115TPDP6T5G
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963
NSBC114EPDXV6T1
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
EMF18XV6T5G
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
SMUN5216DW1T1G
TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363