رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
EMG2DXV5T5G
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
EMG2DXV5T5G-DG
وصف:
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT553
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230mW Surface Mount SOT-553
المخزون:
12851310
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
EMG2DXV5T5G المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
47kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
47kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
80 @ 5mA, 10V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
250mV @ 300µA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
التردد - الانتقال
-
الطاقة - الحد الأقصى
230mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SOT-553
حزمة جهاز المورد
SOT-553
رقم المنتج الأساسي
EMG2DXV5
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
8,000
اسماء اخرى
2156-EMG2DXV5T5G-OS
EMG2DXV5T5GOSCT
EMG2DXV5T5GOSTR
EMG2DXV5T5GOSDKR
EMG2DXV5T5G-DG
ONSONSEMG2DXV5T5G
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
MUN5311DW1T2G
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
MUN5313DW1T1
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
MUN5137DW1T1
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363