رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
EMH2314-TL-H
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
EMH2314-TL-H-DG
وصف:
MOSFET 2P-CH 12V 5A 8EMH
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 12V 5A 1.2W Surface Mount 8-EMH
المخزون:
12838418
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
EMH2314-TL-H المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 P-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
12V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
37mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
-
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
12nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1300pF @ 6V
الطاقة - الحد الأقصى
1.2W
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SMD, Flat Lead
حزمة جهاز المورد
8-EMH
رقم المنتج الأساسي
EMH2314
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
2156-EMH2314-TL-H-ONTR
ONSONSEMH2314-TL-H
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FDMB2308PZ
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
17954
DiGi رقم الجزء
FDMB2308PZ-DG
سعر الوحدة
0.80
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDS9945
MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOIC
EFC6617R-A-TF
MOSFET N-CH DUAL 2.5V 6CSP
FDS8958A
MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC
