EMH2417R-TL-H

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

EMH2417R-TL-H

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

EMH2417R-TL-H-DG

وصف:

MOSFET 2N-CH 12V 11A SOT383FL

وصف تفصيلي:

Mosfet Array 12V 11A 1.3W Surface Mount SOT-383FL, EMH8

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت

12838711

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

EMH2417R-TL-H المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

onsemi

تعبئة

-

سلسلة

-

حالة المنتج

Obsolete

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

تكوين

2 N-Channel (Dual) Common Drain

ميزة FET

Logic Level Gate, 2.5V Drive

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

12V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

11A

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

10mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

1.3V @ 1mA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

16nC @ 4.5V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

-

الطاقة - الحد الأقصى

1.3W

درجة حرارة التشغيل

150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

العبوة / العلبة

8-SMD, Flat Lead

حزمة جهاز المورد

SOT-383FL, EMH8

رقم المنتج الأساسي

EMH2417

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

EMH2417R-TL-H-DG

معلومات إضافية

الباقة القياسية

3,000

اسماء اخرى

2156-EMH2417R-TL-H

ONSONSEMH2417R-TL-H

2156-EMH2417R-TL-H-ONTR-DG

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

onsemi

FDW2521C

MOSFET N/P-CH 20V 5.5A 8TSSOP

onsemi

FDS4895C

MOSFET N/P-CH 40V 5.5A 8SOIC

onsemi

ECH8662-TL-H

MOSFET 2N-CH 40V 6.5A 8ECH

FDC6321C

MOSFET N/P-CH 25V 0.68A SSOT6