رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FCA35N60
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FCA35N60-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 35A TO3PN
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 35A (Tc) 312.5W (Tc) Through Hole TO-3PN
المخزون:
12849309
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FCA35N60 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
SuperFET™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
35A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
98mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
181 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
6640 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
312.5W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-3PN
العبوة / العلبة
TO-3P-3, SC-65-3
رقم المنتج الأساسي
FCA35
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
2832-FCA35N60
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NTHL099N60S5
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
302
DiGi رقم الجزء
NTHL099N60S5-DG
سعر الوحدة
2.95
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDMT800152DC
MOSFET N-CH 150V 8 DUAL COOL88
AOT2906
MOSFET N-CH 100V TO220
AOTF9N90
MOSFET N-CH 900V 9A TO220-3F
