رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FCB070N65S3
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FCB070N65S3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 44A (Tc) 312W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
المخزون:
375 قطع جديدة أصلية في المخزون
12838580
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FCB070N65S3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
SuperFET® III
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
44A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
70mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 4.4mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3090 pF @ 400 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
312W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
FCB070
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
FCB070N65S3TR
FCB070N65S3DKR
FCB070N65S3-DG
FCB070N65S3CT
2832-FCB070N65S3
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXTA34N65X2
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXTA34N65X2-DG
سعر الوحدة
4.34
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STB45N60DM2AG
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
STB45N60DM2AG-DG
سعر الوحدة
3.12
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDD8444L-F085
MOSFET N-CH 40V 16A/50A TO252AA
FQP3P50
MOSFET P-CH 500V 2.7A TO220-3
FDH3632
MOSFET N-CH 100V 12A/80A TO247-3
