رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FCB36N60NTM
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FCB36N60NTM-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 36A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 36A (Tc) 312W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
المخزون:
12848841
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FCB36N60NTM المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
SupreMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
36A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
90mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
112 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4785 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
312W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
FCB36N60
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
FCB36N60NTMTR
FCB36N60NTM-DG
FCB36N60NTMCT
FCB36N60NTMDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STB40N60M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
775
DiGi رقم الجزء
STB40N60M2-DG
سعر الوحدة
2.83
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FCB125N65S3
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
800
DiGi رقم الجزء
FCB125N65S3-DG
سعر الوحدة
2.13
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AON7406
MOSFET N-CH 30V 9A/25A 8DFN
FDBL86566-F085
MOSFET N-CH 60V 240A 8HPSOF
FCP260N60E
MOSFET N-CH 600V 15A TO220-3
