رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FCP104N60
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FCP104N60-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 37A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
328 قطع جديدة أصلية في المخزون
12839139
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FCP104N60 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tube
سلسلة
SuperFET® II
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
37A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
104mOhm @ 18.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4165 pF @ 380 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
357W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
FCP104
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
FCP104N60OS
FCP104N60-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
TK25E60X,S1X
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
13
DiGi رقم الجزء
TK25E60X,S1X-DG
سعر الوحدة
1.80
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STP33N60DM2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
3750
DiGi رقم الجزء
STP33N60DM2-DG
سعر الوحدة
2.32
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STP34N65M5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
241
DiGi رقم الجزء
STP34N65M5-DG
سعر الوحدة
2.82
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FQD5N60CTM
MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
FDP80N06
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
FQP13N06
MOSFET N-CH 60V 13A TO220-3