رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FCP130N60
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FCP130N60-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 28A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 28A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
556 قطع جديدة أصلية في المخزون
12851115
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FCP130N60 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tube
سلسلة
SuperFET® II
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
28A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
130mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3590 pF @ 380 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
278W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
FCP130
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
SIHP28N65E-GE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
SIHP28N65E-GE3-DG
سعر الوحدة
2.49
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STP33N60M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
727
DiGi رقم الجزء
STP33N60M2-DG
سعر الوحدة
2.08
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDC796N_F077
MOSFET N-CH 30V 12.5A SUPERSOT6
FCD600N60Z
MOSFET N-CH 600V 7.4A DPAK
IRLM110ATF
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223-4
