الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FCP13N60N
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FCP13N60N-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 13A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 116W (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12846833
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FCP13N60N المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
SupreMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
13A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
258mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
39.5 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1765 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
116W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
FCP13N60
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
FCP13N60N, FCPF13N60NT
مخططات البيانات
FCP13N60N
ورقة بيانات HTML
FCP13N60N-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
FCP13N60N-DG
FCP13N60NFS
2166-FCP13N60N-488
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STP24N60M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
189
DiGi رقم الجزء
STP24N60M2-DG
سعر الوحدة
1.21
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STP20NM60FD
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
773
DiGi رقم الجزء
STP20NM60FD-DG
سعر الوحدة
3.16
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
SIHP15N60E-GE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
16573
DiGi رقم الجزء
SIHP15N60E-GE3-DG
سعر الوحدة
1.26
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STP13NK60Z
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
770
DiGi رقم الجزء
STP13NK60Z-DG
سعر الوحدة
1.07
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
SIHP17N80E-GE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
1000
DiGi رقم الجزء
SIHP17N80E-GE3-DG
سعر الوحدة
2.07
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDB9509L-F085
MOSFET 40V 110X72 MIL DPAK
FCA20N60FS
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
FQP4N20L
MOSFET N-CH 200V 3.8A TO220-3
NTGS3441T1G
MOSFET P-CH 20V 1.65A 6TSOP