رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FCP360N65S3R0
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FCP360N65S3R0-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 10A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
411 قطع جديدة أصلية في المخزون
12851229
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FCP360N65S3R0 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tube
سلسلة
SuperFET® III
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
10A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
360mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
730 pF @ 400 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
83W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
FCP360
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
2156-FCP360N65S3R0-488
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STP16N65M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
STP16N65M2-DG
سعر الوحدة
1.01
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STP13NM60N
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
649
DiGi رقم الجزء
STP13NM60N-DG
سعر الوحدة
2.01
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FQI8N60CTU
MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAK
FDB8896-F085
MOSFET N-CH 30V 19A/93A TO263AB
FCP220N80
MOSFET N-CH 800V 23A TO220-3