FCP850N80Z
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FCP850N80Z

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FCP850N80Z-DG

وصف:

MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 136W (Tc) Through Hole TO-220-3

المخزون:

766 قطع جديدة أصلية في المخزون
12847323
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FCP850N80Z المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tube
سلسلة
SuperFET® II
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
800 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
850mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 600µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1315 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
136W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
FCP850

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
2156-FCP850N80Z-OS
ONSONSFCP850N80Z

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
IXTP4N65X2
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
232
DiGi رقم الجزء
IXTP4N65X2-DG
سعر الوحدة
1.12
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

FDN361AN

MOSFET N-CH 30V 1.8A SUPERSOT3

onsemi

FDD8778

MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA

infineon-technologies

BSD314SPEL6327HTSA1

MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363-6

alpha-and-omega-semiconductor

AOD4128

MOSFET N-CH 25V 60A TO252